米ウルフスピードに迫るSiC基板：天岳先進、8インチの現実
EVの航続距離と800V急速充電を左右するパワー半導体の母材「炭化ケイ素（SiC）基板」。米ウルフスピードが失速し、日本のロームやレゾナックが追走する激戦区で、世界トップ3へ登りつめ独インフィニオンに大量供給する済南の天岳先進（SICC）。8インチ化の突破口と、急激な価格破壊が突きつける現。
Devices
天岳先進（SICC / エスアイシーシー）
SICC Co., Ltd. · 山东天岳先进科技股份有限公司
EVの航続距離延伸や急速充電、AIデータセンターの省電力を支える第3世代（ワイドバンドギャップ）半導体の中核材料「炭化ケイ素（SiC）基板」において、世界トップ3の一角を占める中国最大のSiC基板メーカー。山東大学結晶材料国家重点研究所の学術的蓄積を母体に、宗艶民（Zong Yanmin）が2010年に済南で創業。かつて米ウルフスピード（Wolfspeed）やコヒーレントが独占していたSiC市場において、物理気相輸送法（PVT法）による6インチ・8インチ導電型SiC単結晶の歩留まりを極限まで高め、ドイツの独インフィニオン・テクノロジーズ（Infineon）やボッシュ（Bosch）と長期供給契約を締結。上海臨港に巨大ギガファクトリーを建設し、世界的なSiC基板の供給構造を一変させた。
日本のビジネス視点（Japan Perspective）
パワー半導体およびSiC基板を手がける日本のローム（SiCrystal）、レゾナック（旧昭和電工）、三菱電機、住友電工、デンソーに対する直接の競合かつグローバルサプライチェーン上の重要プレイヤー。8インチ化への移行スピードと結晶欠陥（転位欠陥）の抑制、そして急激な価格破壊を巡り、日中欧のEV産業基盤を揺るがす直接の対比が存在します。